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参数目录42417
> PSMN011-80YS,115 MOSFET N-CH 80V LFPAK
型号:
PSMN011-80YS,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN011-80YS,115 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
67A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2800pF @ 40V
功率 - 最大
117W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装
LFPAK,Power-SO8
包装
标准包装
其它名称
568-5577-6
查看PSMN011-80YS,115代理商
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